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G4S6508Z

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SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN5*

SOT-23

G4S6508Z Technisches Datenblatt

nicht konform

G4S6508Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.16000 $5.16
500 $5.1084 $2554.2
1000 $5.0568 $5056.8
1500 $5.0052 $7507.8
2000 $4.9536 $9907.2
2500 $4.902 $12255
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 30.5A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 8 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 395pF @ 0V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket 8-DFN (4.9x5.75)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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