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G5S06504QT

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SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A DFN 8

G5S06504QT Technisches Datenblatt

nicht konform

G5S06504QT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.29000 $3.29
500 $3.2571 $1628.55
1000 $3.2242 $3224.2
1500 $3.1913 $4786.95
2000 $3.1584 $6316.8
2500 $3.1255 $7813.75
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 14A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.55 V @ 4 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 181pF @ 0V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 4-PowerTSFN
Lieferantengerätepaket 4-DFN (8x8)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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Zugehörige Teilenummer

SD103AWHE3-TP
JAN1N6624U/TR
MBR8030
MBR8030
$0 $/Stück
1N3276
1N3276
$0 $/Stück
1N6539
1N6539
$0 $/Stück
S21130
S21130
$0 $/Stück
R3711
R3711
$0 $/Stück
R7222505CSOO
R7222505CSOO
$0 $/Stück
R42120TS
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$0 $/Stück

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