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G5S06506QT

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SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A DFN8*

G5S06506QT Technisches Datenblatt

nicht konform

G5S06506QT Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.92000 $5.92
500 $5.8608 $2930.4
1000 $5.8016 $5801.6
1500 $5.7424 $8613.6
2000 $5.6832 $11366.4
2500 $5.624 $14060
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 34A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.5 V @ 6 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 395pF @ 0V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 4-PowerTSFN
Lieferantengerätepaket 4-DFN (8x8)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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