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G5S12002C

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI

G5S12002C Technisches Datenblatt

nicht konform

G5S12002C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.03000 $3.03
500 $2.9997 $1499.85
1000 $2.9694 $2969.4
1500 $2.9391 $4408.65
2000 $2.9088 $5817.6
2500 $2.8785 $7196.25
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 8.8A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 2 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 170pF @ 0V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket TO-252
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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