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G5S12002H

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI

G5S12002H Technisches Datenblatt

nicht konform

G5S12002H Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.21000 $3.21
500 $3.1779 $1588.95
1000 $3.1458 $3145.8
1500 $3.1137 $4670.55
2000 $3.0816 $6163.2
2500 $3.0495 $7623.75
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 7.5A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 2 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 170pF @ 0V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-220-2 Full Pack
Lieferantengerätepaket TO-220F
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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