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G5S12008PM

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI

G5S12008PM Technisches Datenblatt

nicht konform

G5S12008PM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $10.26000 $10.26
500 $10.1574 $5078.7
1000 $10.0548 $10054.8
1500 $9.9522 $14928.3
2000 $9.8496 $19699.2
2500 $9.747 $24367.5
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 27.9A (DC)
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 8 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 550pF @ 0V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-247-2
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Betriebstemperatur - Kontaktstelle -55°C ~ 175°C
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