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HUF75545S3ST_NL

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N-CHANNEL POWER MOSFET

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 235 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3750 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 270W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FQB4P40TM
FQB4P40TM
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BSP315
BSP315
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IRF520STRL
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FDV045P20L
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IRL3402STRL
FDW254P
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STD50NH02L-1
IRF3711ZSTRL
SPD03N60C3
SUM90N08-6M2P-E3

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