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HUF75623P3

HUF75623P3

HUF75623P3

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3

HUF75623P3 Technisches Datenblatt

compliant

HUF75623P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
4814 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 64mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 52 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 790 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FDN352AP
FDN352AP
$0 $/Stück
SQA411CEJW-T1_GE3
FDBL0260N100
FDBL0260N100
$0 $/Stück
RM120N30DF
RM120N30DF
$0 $/Stück
IXTT440N04T4HV
IXTT440N04T4HV
$0 $/Stück
SI3407DV-T1-GE3

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