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HUF75637P3

HUF75637P3

HUF75637P3

MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3

HUF75637P3 Technisches Datenblatt

nicht konform

HUF75637P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
5595 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 44A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 108 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 155W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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