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HUF75639S3S

HUF75639S3S

HUF75639S3S

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

HUF75639S3S Technisches Datenblatt

compliant

HUF75639S3S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.37000 $1.37
500 $1.3563 $678.15
1000 $1.3426 $1342.6
1500 $1.3289 $1993.35
2000 $1.3152 $2630.4
2500 $1.3015 $3253.75
20586 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 56A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IXFK80N50Q3
IXFK80N50Q3
$0 $/Stück
RM185N30DF
RM185N30DF
$0 $/Stück
MSC080SMA120J
SQJQ100E-T1_GE3
APT30M70BVRG
SIS472ADN-T1-GE3

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