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HUF75823D3S

HUF75823D3S

HUF75823D3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

HUF75823D3S Technisches Datenblatt

compliant

HUF75823D3S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.80000 $0.8
500 $0.792 $396
1000 $0.784 $784
1500 $0.776 $1164
2000 $0.768 $1536
2500 $0.76 $1900
3600 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 150mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 54 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

MMIX1F520N075T2
MMIX1F520N075T2
$0 $/Stück
IRFZ24STRRPBF
STI34N65M5
STI34N65M5
$0 $/Stück
IRF830LPBF
IRF830LPBF
$0 $/Stück
NTD4809NHT4G
NTD4809NHT4G
$0 $/Stück
NVMFS6H836NT1G
NVMFS6H836NT1G
$0 $/Stück
NVMFS5C645NLAFT3G
NVMFS5C645NLAFT3G
$0 $/Stück
APT14F100S

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