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HUF75945G3

HUF75945G3

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N-CHANNEL POWER MOSFET

HUF75945G3 Technisches Datenblatt

nicht konform

HUF75945G3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.31000 $2.31
500 $2.2869 $1143.45
1000 $2.2638 $2263.8
1500 $2.2407 $3361.05
2000 $2.2176 $4435.2
2500 $2.1945 $5486.25
3000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 38A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 71mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 280 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4023 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 310W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STWA50N65DM2AG
ATP404-TL-H
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$0 $/Stück
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SIHG22N65E-GE3
STN4NF06L
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BUK7528-55A,127
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STB11N52K3
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