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HUF76009P3

HUF76009P3

HUF76009P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

HUF76009P3 Technisches Datenblatt

nicht konform

HUF76009P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.53000 $0.53
500 $0.5247 $262.35
1000 $0.5194 $519.4
1500 $0.5141 $771.15
2000 $0.5088 $1017.6
2500 $0.5035 $1258.75
7513 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 27mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 470 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 41W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FQPF7P20
FQPF7P20
$0 $/Stück
PSMN6R0-30YLB,115
PSMN1R2-55SLH
CPH3431-TL-E
CPH3431-TL-E
$0 $/Stück
IXFX44N80P
IXFX44N80P
$0 $/Stück
BUK9M6R7-40HX

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