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HUF76129D3ST

HUF76129D3ST

HUF76129D3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

HUF76129D3ST Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
42200 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1425 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 105W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-3 (DPAK)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FDR844P
IXFK32N80P
IXFK32N80P
$0 $/Stück
BUK9Y7R2-60E,115
GPI65015TO
GPI65015TO
$0 $/Stück
IPP50R199CPXK
RM3415
RM3415
$0 $/Stück

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