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HUF76129S3S

HUF76129S3S

HUF76129S3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

HUF76129S3S Technisches Datenblatt

nicht konform

HUF76129S3S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.59000 $0.59
500 $0.5841 $292.05
1000 $0.5782 $578.2
1500 $0.5723 $858.45
2000 $0.5664 $1132.8
2500 $0.5605 $1401.25
1850 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 56A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16Ohm @ 56A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 105W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIHA6N80E-GE3
ZXMP6A18KQTC
IXFQ50N60X
IXFQ50N60X
$0 $/Stück
STD105N10F7AG
NTMFS020N06CT1G
NTMFS020N06CT1G
$0 $/Stück

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