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HUF76129S3ST

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N-CHANNEL POWER MOSFET

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 56A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16Ohm @ 56A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 105W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDB12N50UTM_WS
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FQP90N10V2
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NTF5P03T3
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2SK3746-1E
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IXTP6N50P
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ZVP3310ASTZ
IXFE44N60
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NVMFS5C456NLT3G
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