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HUF76139P3

HUF76139P3

HUF76139P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

HUF76139P3 Technisches Datenblatt

compliant

HUF76139P3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.95000 $0.95
500 $0.9405 $470.25
1000 $0.931 $931
1500 $0.9215 $1382.25
2000 $0.912 $1824
2500 $0.9025 $2256.25
12841 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 165W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFR9120TRLPBF
NVMFS5C430NAFT3G
NVMFS5C430NAFT3G
$0 $/Stück
FCH25N60N
FCH25N60N
$0 $/Stück
DMN2991UT-13
SI1467DH-T1-BE3
FCH067N65S3-F155
FCH067N65S3-F155
$0 $/Stück
RSR025P03HZGTL
FQP30N06L
FQP30N06L
$0 $/Stück

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