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HUFA75329G3

HUFA75329G3

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N-CHANNEL POWER MOSFET

HUFA75329G3 Technisches Datenblatt

nicht konform

HUFA75329G3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $90.66000 $90.66
500 $89.7534 $44876.7
1000 $88.8468 $88846.8
1500 $87.9402 $131910.3
2000 $87.0336 $174067.2
2500 $86.127 $215317.5
2700 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 49A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 49A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1060 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 128W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SCT3080KLGC11
SI3443BDV-T1-BE3
IXTA140P05T
IXTA140P05T
$0 $/Stück
IRFB4410ZGPBF
PMPB07R3VPX
PMPB07R3VPX
$0 $/Stück
MGSF3441VT1
MGSF3441VT1
$0 $/Stück
NTD4904N-35G
NTD4904N-35G
$0 $/Stück
IXFX64N50Q3
IXFX64N50Q3
$0 $/Stück

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