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IRF120

IRF120

IRF120

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF120 Technisches Datenblatt

compliant

IRF120 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.84000 $1.84
500 $1.8216 $910.8
1000 $1.8032 $1803.2
1500 $1.7848 $2677.2
2000 $1.7664 $3532.8
2500 $1.748 $4370
498 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 300mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3
Paket / Koffer TO-204AA
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Zugehörige Teilenummer

NTPF360N65S3H
NTPF360N65S3H
$0 $/Stück
DMPH1006UPS-13
FDMS86500L
FDMS86500L
$0 $/Stück
MCB40P10Y-TP
BSB053N03LPG
NTH4L015N065SC1
NTH4L015N065SC1
$0 $/Stück

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