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IRF331

IRF331

IRF331

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF331 Technisches Datenblatt

compliant

IRF331 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.18000 $2.18
500 $2.1582 $1079.1
1000 $2.1364 $2136.4
1500 $2.1146 $3171.9
2000 $2.0928 $4185.6
2500 $2.071 $5177.5
5724 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 350 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3
Paket / Koffer TO-204AA, TO-3
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Zugehörige Teilenummer

NVTP2955G
NVTP2955G
$0 $/Stück
DMNH4005SPSQ-13
STFH10N60M6
RF1S45N06LESM9A
NP80N055MHE-S18-AY
NP80N055MHE-S18-AY
$0 $/Stück
MCB130N10YA-TP
FQP13N50C-G
FQP13N50C-G
$0 $/Stück
RF1S540
RF1S540
$0 $/Stück
RJ1L12BGNTLL

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