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IRF351

IRF351

IRF351

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF351 Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF351 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.00000 $2
500 $1.98 $990
1000 $1.96 $1960
1500 $1.94 $2910
2000 $1.92 $3840
2500 $1.9 $4750
1804 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 350 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 300mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3
Paket / Koffer TO-204AA, TO-3
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Zugehörige Teilenummer

AUIRF7749L2TR
FQA90N15-F109
FQA90N15-F109
$0 $/Stück
STB40NF10LT4
FQP8P10
FQP8P10
$0 $/Stück
NTMFS4927NT3G
NTMFS4927NT3G
$0 $/Stück
SIRA58DP-T1-GE3
FDP6030L
NTD4809N-1G
NTD4809N-1G
$0 $/Stück
PSMN3R0-30YL,115

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