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IRF613

IRF613

IRF613

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF613 Technisches Datenblatt

compliant

IRF613 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.30000 $0.3
500 $0.297 $148.5
1000 $0.294 $294
1500 $0.291 $436.5
2000 $0.288 $576
2500 $0.285 $712.5
2940 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 135 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 43W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

BUK7107-55ATE,118
DMTH43M8LFGQ-7
SFT1446-TL-H-ON
SFT1446-TL-H-ON
$0 $/Stück
HAT1044M-EL-E
HAT1044M-EL-E
$0 $/Stück
FDMS8660AS
MCP200N06Y-BP

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