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IRF731

IRF731

IRF731

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF731 Technisches Datenblatt

compliant

IRF731 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.37000 $1.37
500 $1.3563 $678.15
1000 $1.3426 $1342.6
1500 $1.3289 $1993.35
2000 $1.3152 $2630.4
2500 $1.3015 $3253.75
4369 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 350 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

AUIRFZ48Z
UF3C120080K3S
UF3C120080K3S
$0 $/Stück
DMTH8004LPS-13
BUK4D16-20X
BUK4D16-20X
$0 $/Stück
IXTQ130N20T
IXTQ130N20T
$0 $/Stück
UJ4C075044K3S
UJ4C075044K3S
$0 $/Stück

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