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IRF823

IRF823

IRF823

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF823 Technisches Datenblatt

compliant

IRF823 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.41000 $0.41
500 $0.4059 $202.95
1000 $0.4018 $401.8
1500 $0.3977 $596.55
2000 $0.3936 $787.2
2500 $0.3895 $973.75
2284 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 450 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 360 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVMFWS025P04M8LT1G
NVMFWS025P04M8LT1G
$0 $/Stück
SIHD11N80AE-T4-GE3
DMP2016UFDF-7
DMN3018SFG-7
2SK2169-AZ
2SK2169-AZ
$0 $/Stück
HUF76132P3
RRS100P03HZGTB
DI068N03PQ-AQ
DMP1022UWS-7

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