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IRF831

IRF831

IRF831

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF831 Technisches Datenblatt

compliant

IRF831 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.20000 $1.2
500 $1.188 $594
1000 $1.176 $1176
1500 $1.164 $1746
2000 $1.152 $2304
2500 $1.14 $2850
1610 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 450 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS6H864NLWFT1G
NVMFS6H864NLWFT1G
$0 $/Stück
BSP135IXTSA1
NX2020P1115
NX2020P1115
$0 $/Stück
SQR40030ER_GE3
IXFQ8N85X
IXFQ8N85X
$0 $/Stück
IRFR220TRPBF-BE3
NVMYS003N08LHTWG
NVMYS003N08LHTWG
$0 $/Stück

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