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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 600mA (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | - |
| rds ein (max) @ id, vgs | 1.6Ohm @ 300mA, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | - |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 15 nC @ 15 V |
| vgs (max) | - |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 250 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montageart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Paket / Koffer | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
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