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IRFF213

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N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFF213 Technisches Datenblatt

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IRFF213 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.4Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 135 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 15W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-205AF (TO-39)
Paket / Koffer TO-205AF Metal Can
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Zugehörige Teilenummer

IRLZ24L
IRLZ24L
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SUD50N02-09P-E3
STP8NM60ND
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SPP15P10P
TT8U1TR
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$0 $/Stück
SFU9220TU_AM002
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$0 $/Stück
IXFH9N80Q
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