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IRFS614B

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N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFS614B Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFS614B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.17000 $0.17
500 $0.1683 $84.15
1000 $0.1666 $166.6
1500 $0.1649 $247.35
2000 $0.1632 $326.4
2500 $0.1615 $403.75
80881 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.8A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 275 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 22W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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