Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IRFS820B

IRFS820B

IRFS820B

N-CHANNEL POWER MOSFET

SOT-23

IRFS820B Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFS820B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.18000 $0.18
500 $0.1782 $89.1
1000 $0.1764 $176.4
1500 $0.1746 $261.9
2000 $0.1728 $345.6
2500 $0.171 $427.5
4853 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 610 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.