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IRFW740BTM

IRFW740BTM

IRFW740BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFW740BTM Technisches Datenblatt

compliant

IRFW740BTM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.34000 $0.34
500 $0.3366 $168.3
1000 $0.3332 $333.2
1500 $0.3298 $494.7
2000 $0.3264 $652.8
2500 $0.323 $807.5
70400 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 540mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 134W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

EPC2024
EPC2024
$0 $/Stück
SQ4435EY-T1_GE3
STD134N4F7AG
IXFT400N075T2
IXFT400N075T2
$0 $/Stück
NTLUS3A39PZTBG
NTLUS3A39PZTBG
$0 $/Stück
IRFZ44VZPBF
SI3473CDV-T1-GE3

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