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ISL9N302AP3

ISL9N302AP3

ISL9N302AP3

MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3

ISL9N302AP3 Technisches Datenblatt

nicht konform

ISL9N302AP3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.09000 $1.09
500 $1.0791 $539.55
1000 $1.0682 $1068.2
1500 $1.0573 $1585.95
2000 $1.0464 $2092.8
2500 $1.0355 $2588.75
1344 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 300 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11000 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 345W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NTLJF3117PTAG
NTLJF3117PTAG
$0 $/Stück
DMN3110S-7
IXFT140N10P
IXFT140N10P
$0 $/Stück
STP6N95K5
STP6N95K5
$0 $/Stück
IXTP18P10T
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$0 $/Stück
NTHL095N65S3H
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IRF840APBF
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