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ISL9N306AS3ST

ISL9N306AS3ST

ISL9N306AS3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

nicht konform

ISL9N306AS3ST Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.34000 $0.34
500 $0.3366 $168.3
1000 $0.3332 $333.2
1500 $0.3298 $494.7
2000 $0.3264 $652.8
2500 $0.323 $807.5
33931 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3400 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDD9409L-F085
FDD9409L-F085
$0 $/Stück
SUD09P10-195-BE3
BUK7520-100A,127
BUK7520-100A,127
$0 $/Stück
NVMFS024N06CT1G
NVMFS024N06CT1G
$0 $/Stück
STF9N65M2
STF9N65M2
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R6509END3TL1
SI2377EDS-T1-GE3

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