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Name | Wert |
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Produktstatus | Obsolete |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30V |
Frequenz - Übergang | 700MHz |
Rauschmaß (db typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 200MHz |
gewinnen | 20dB ~ 24dB |
Leistung - max. | 250mW |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 60 @ 2mA, 10V |
Strom - Kollektor (ic) (max) | 20mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Paket / Koffer | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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