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NDS8425

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

NDS8425 Technisches Datenblatt

nicht konform

NDS8425 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.63725 -
5,000 $0.60539 -
12,500 $0.58263 -
60351 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.7V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 7.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1098 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

LP0701LG-G
STP6N65M2
STP6N65M2
$0 $/Stück
IXTY2N100P
IXTY2N100P
$0 $/Stück
FDC5612
FDC5612
$0 $/Stück
NTP165N65S3H
NTP165N65S3H
$0 $/Stück
FDS7766
FDPF8N50NZU
FDPF8N50NZU
$0 $/Stück
APT10050B2VFRG

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