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NDS9952A

NDS9952A

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

NDS9952A Technisches Datenblatt

compliant

NDS9952A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.48264 -
5,000 $0.45984 -
12,500 $0.44356 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.7A, 2.9A
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 320pF @ 10V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

NVMFD5853NT1G
NVMFD5853NT1G
$0 $/Stück
SI6955ADQ-T1-GE3
NTHD5902T1
NTHD5902T1
$0 $/Stück
NTLUD4C26NTBG
NTLUD4C26NTBG
$0 $/Stück
FDMS3610S

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