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NVMD3P03R2G

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

NVMD3P03R2G Technisches Datenblatt

compliant

NVMD3P03R2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.76230 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.34A (Tj)
rds ein (max) @ id, vgs 85mOhm @ 3.05A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 750pF @ 24V
Leistung - max. 730mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

EFC4618R-TR
EFC4618R-TR
$0 $/Stück
SI1988DH-T1-E3
FDMA3027PZ
FDMA3027PZ
$0 $/Stück
SI4563DY-T1-E3
NTLJD3119CTAG
NTLJD3119CTAG
$0 $/Stück

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