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RF1S22N10

RF1S22N10

RF1S22N10

N-CHANNEL POWER MOSFET

RF1S22N10 Technisches Datenblatt

compliant

RF1S22N10 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.81000 $0.81
500 $0.8019 $400.95
1000 $0.7938 $793.8
1500 $0.7857 $1178.55
2000 $0.7776 $1555.2
2500 $0.7695 $1923.75
1990 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

DMNH6012SPSQ-13
IXFQ170N15X3
IXFQ170N15X3
$0 $/Stück
DMN10H170SFG-7
BUK7Y1R4-40HX
RF1S630SM9A
DMPH6050SFG-13
STW75N65DM6-4

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