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RF1S45N03L

RF1S45N03L

RF1S45N03L

N-CHANNEL POWER MOSFET

RF1S45N03L Technisches Datenblatt

nicht konform

RF1S45N03L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.83000 $0.83
500 $0.8217 $410.85
1000 $0.8134 $813.4
1500 $0.8051 $1207.65
2000 $0.7968 $1593.6
2500 $0.7885 $1971.25
770 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 45A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 45A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1650 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262)
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Zugehörige Teilenummer

R6002ENHTB1
DMN67D8LT-13
NTMFS4931NT1G-IRH1
NTMFS4931NT1G-IRH1
$0 $/Stück
NTMT125N65S3H
NTMT125N65S3H
$0 $/Stück
IXFT50N60P3-TRL
IXFT50N60P3-TRL
$0 $/Stück
SQ3493EV-T1_GE3
NTLJS053N12MCLTAG
NTLJS053N12MCLTAG
$0 $/Stück

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