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RF1S50N06LESM

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N-CHANNEL POWER MOSFET

nicht konform

RF1S50N06LESM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
1705 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 50A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 142W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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