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RF1S630SM

RF1S630SM

RF1S630SM

N-CHANNEL POWER MOSFET

RF1S630SM Technisches Datenblatt

compliant

RF1S630SM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.96000 $0.96
500 $0.9504 $475.2
1000 $0.9408 $940.8
1500 $0.9312 $1396.8
2000 $0.9216 $1843.2
2500 $0.912 $2280
2098 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 400mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

RQ7L055BGTCR
DMN2451UFB4Q-7R
DMN10H220LQ-7
G1002L
G1002L
$0 $/Stück
IXFT320N10T2-TRL
IXFT320N10T2-TRL
$0 $/Stück
DMTH8012LPSW-13
STU3N65M6
STU3N65M6
$0 $/Stück
DMNH6009SPS-13
DMN2055UW-7

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