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RF1S70N06SM

RF1S70N06SM

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N-CHANNEL POWER MOSFET

RF1S70N06SM Technisches Datenblatt

nicht konform

RF1S70N06SM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.25000 $2.25
500 $2.2275 $1113.75
1000 $2.205 $2205
1500 $2.1825 $3273.75
2000 $2.16 $4320
2500 $2.1375 $5343.75
6785 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 215 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IXTA230N075T2-TRL
IXTA230N075T2-TRL
$0 $/Stück
IRF9Z14PBF-BE3
ZXMP7A17KTC
BUK7E2R3-40E,127
CSD19505KTTT
ECH8305-TL-E
ECH8305-TL-E
$0 $/Stück
SQ2351ES-T1_BE3
IXFK170N10P
IXFK170N10P
$0 $/Stück
APT106N60B2C6

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