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RFD16N05LSM

RFD16N05LSM

RFD16N05LSM

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFD16N05LSM Technisches Datenblatt

compliant

RFD16N05LSM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
3631 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 50 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4V, 5V
rds ein (max) @ id, vgs 47mOhm @ 16A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

PSMN030-60YS,115
SQJA00EP-T1_GE3
SCH1331-TL-H
SCH1331-TL-H
$0 $/Stück
IRL60B216
DMP2130LDM-7
IXTA94N20X4
IXTA94N20X4
$0 $/Stück
FDS9412

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