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RFD3N08L

RFD3N08L

RFD3N08L

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFD3N08L Technisches Datenblatt

compliant

RFD3N08L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
1346 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 800mOhm @ 1.5A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-PAK
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

DMNH6010SCTB-13
NVB260N65S3
NVB260N65S3
$0 $/Stück
2SK3354-AZ
2SK3354-AZ
$0 $/Stück
RJL5014DPP-E0#T2
RJL5014DPP-E0#T2
$0 $/Stück
DMPH4029LFGQ-7
IRF543
IRF543
$0 $/Stück

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