Welcome to ichome.com!

logo
Heim

RFD7N10LE

RFD7N10LE

RFD7N10LE

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFD7N10LE Technisches Datenblatt

nicht konform

RFD7N10LE Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
5942 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 300mOhm @ 7A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) +10V, -8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 360 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 47W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NVBLS4D0N15MC
NVBLS4D0N15MC
$0 $/Stück
MMFTN138
MMFTN138
$0 $/Stück
2SK1445LS
2SK1445LS
$0 $/Stück
RMA7N20ED1
RMA7N20ED1
$0 $/Stück
RFD3055
APT50M75LFLLG
SI7434ADP-T1-RE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.