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RFD8P06LE

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P-CHANNEL POWER MOSFET

RFD8P06LE Technisches Datenblatt

nicht konform

RFD8P06LE Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.30000 $0.3
500 $0.297 $148.5
1000 $0.294 $294
1500 $0.291 $436.5
2000 $0.288 $576
2500 $0.285 $712.5
7200 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 5V
rds ein (max) @ id, vgs 300mOhm @ 8A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 675 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket I-PAK
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

SQJQ402E-T1_GE3
STB19NF20
STB19NF20
$0 $/Stück
BUK7Y2R5-40HX
FDMC8360L
FDMC8360L
$0 $/Stück
RS1E350BNTB
FDC654P
FDC654P
$0 $/Stück
APT58F50J
DMT10H032LSS-13

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