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RFL1N15

RFL1N15

RFL1N15

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFL1N15 Technisches Datenblatt

compliant

RFL1N15 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.53000 $1.53
500 $1.5147 $757.35
1000 $1.4994 $1499.4
1500 $1.4841 $2226.15
2000 $1.4688 $2937.6
2500 $1.4535 $3633.75
4903 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.9Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 8.33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-205AF (TO-39)
Paket / Koffer TO-205AF Metal Can
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Zugehörige Teilenummer

APT9M100S/TR
STU7N65M6
STU7N65M6
$0 $/Stück
NDP4050
DMT47M2SFVW-7
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S
$0 $/Stück
DMN2451UFB4-7B
IRFR320TRPBF-BE3

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