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RFM12P08

RFM12P08

RFM12P08

P-CHANNEL POWER MOSFET

RFM12P08 Technisches Datenblatt

compliant

RFM12P08 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.50000 $1.5
500 $1.485 $742.5
1000 $1.47 $1470
1500 $1.455 $2182.5
2000 $1.44 $2880
2500 $1.425 $3562.5
358 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 300mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3
Paket / Koffer TO-204AA, TO-3
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