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RFM3N45

RFM3N45

RFM3N45

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFM3N45 Technisches Datenblatt

nicht konform

RFM3N45 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.89000 $0.89
500 $0.8811 $440.55
1000 $0.8722 $872.2
1500 $0.8633 $1294.95
2000 $0.8544 $1708.8
2500 $0.8455 $2113.75
1840 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 450 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 750 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3
Paket / Koffer TO-204AA, TO-3
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Zugehörige Teilenummer

PMPB07R0UNAX
NVTFS5C471NLTAG
NVTFS5C471NLTAG
$0 $/Stück
NVTFS5C453NLTAG
NVTFS5C453NLTAG
$0 $/Stück
RS6L120BGTB1
PSMN8R7-100YSFQ
NTMFS08N2D5C
NTMFS08N2D5C
$0 $/Stück
DMTH4007SPSQ-13
DMN2310UWQ-7

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