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RFP18N08

RFP18N08

RFP18N08

N-CHANNEL, MOSFET

RFP18N08 Technisches Datenblatt

compliant

RFP18N08 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.02000 $1.02
500 $1.0098 $504.9
1000 $0.9996 $999.6
1500 $0.9894 $1484.1
2000 $0.9792 $1958.4
2500 $0.969 $2422.5
4075 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

DMN6069SFG-13
IRF9512
IRF9512
$0 $/Stück
E3M0060065K
E3M0060065K
$0 $/Stück
G16P03D3
G16P03D3
$0 $/Stück
2SJ320
2SJ320
$0 $/Stück
2N7002KHE3-TP
DMN31D6UT-7

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