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RFP40N10LE

RFP40N10LE

RFP40N10LE

N-CHANNEL POWER MOSFET

RFP40N10LE Technisches Datenblatt

compliant

RFP40N10LE Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 40Ohm @ 40A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRLL014
IRLL014
$0 $/Stück
2SK3816-1E
2SK3816-1E
$0 $/Stück
SI6465DQ-T1-E3
STB24N65M2
STB24N65M2
$0 $/Stück
FQB22P10TM-F085
FQB22P10TM-F085
$0 $/Stück
SSP45N20B_FP001
SSP45N20B_FP001
$0 $/Stück
IXFH80N08
IXFH80N08
$0 $/Stück
BUK7515-100A,127
IRFBF30
IRFBF30
$0 $/Stück

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